X射線光電子能譜儀（XPS）是利用X射線激發(fā)樣品表面元素的內(nèi)層能級(jí)電子成為光電子的技術(shù)。

在XPS的分析過程中，XPS譜中我們能夠觀察到：

這些譜圖特征對(duì)于理解采集的譜圖，豐富XPS實(shí)驗(yàn)信息內(nèi)容非常重要，本期我們將介紹光電子譜本底（背景）的產(chǎn)生的來源和形狀。

光電子譜本底的來源

每次光電子發(fā)射之后，存在與光電子相關(guān)的累積本底信號(hào)，這些光電子由于固體中的非彈性碰撞而損失能量，但仍然具備足夠的能量逃逸出表面，而非彈性碰撞出來的電子就變成了連續(xù)的本底（也稱為“背景”）。
光電子在固體中的非彈性散射的能量損失是連續(xù)發(fā)生的，即光電子不一定是一次非彈性散射后就飛出了固體表面，有可能會(huì)發(fā)生多次的非彈性散射才飛出固體表面，并且每一次損失的能量也不盡相同，所以我們檢測(cè)到的經(jīng)過能量損失的光電子的能量是連續(xù)的，從高結(jié)合能端一直延伸到低結(jié)合能端。通常，本底的計(jì)數(shù)首先突然增加，然后在高于光電子峰之后隨著結(jié)合能增加而緩慢下降。

光電子譜本底的形狀

下圖為典型的全譜譜圖，在全譜中我們能明顯看到本底是高結(jié)合能端高而低結(jié)合能端低的形狀。

本底源自于非彈性散射的光電子的貢獻(xiàn)

這是由于高動(dòng)能（低結(jié)合能）的光電子的非彈性碰撞部分和高結(jié)合能（低動(dòng)能）的光電子的非彈性碰撞的本底疊加起來，會(huì)導(dǎo)致在高結(jié)合能（低動(dòng)能）端的本底要比低結(jié)合能（高動(dòng)能）端的本底更高一些。

如圖中所示，O和C的1s的光電子都會(huì)產(chǎn)生非彈性散射的本底，但是C峰的本底會(huì)疊加到O峰的左邊（高結(jié)合能端）。

O和C的1s的光電子都會(huì)產(chǎn)生非彈性散射的本底，都在他們的譜峰的左邊，但是O左邊的本底是由O本身的光電子的本底和C峰的本底疊加形成的，而C的左邊的本底比較低，是由于僅有C本身的本底，沒有O的本底。

除本底之外，XPS譜峰中還有其他的伴線結(jié)構(gòu)，如光電子輸送過程中因非彈性散射（損失能量）而產(chǎn)生的能量損失峰，俄歇電子峰等結(jié)構(gòu)。如上圖中所示，C 1s峰左側(cè)畫紅圈的區(qū)域?yàn)樘卣鞯哪芰繐p失峰，是由于光電子和固體材料中的其他電子交互作用形成的等離子激元所造成的。

本期我們簡(jiǎn)單介紹了XPS中本底的產(chǎn)生和形狀，后續(xù)我們也將會(huì)介紹其他的伴線結(jié)構(gòu)。