♦ ELITE (增強(qiáng)型鎖相熱發(fā)射顯微鏡)

我們始終如一的堅(jiān)持為客戶提供有效的解決方案可有效應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)周期的每個階段。

眾所周知，鎖相熱發(fā)射顯微鏡如今已成為高等電性故障分析流程中不可或缺的技術(shù)手段。有缺陷的或表現(xiàn)不佳的半導(dǎo)體器件常常表現(xiàn)出異常分布的功耗從而導(dǎo)致局部溫度升高。賽默飛提供的Thermo Scientific ELITE增強(qiáng)型鎖相熱發(fā)射顯微鏡利用其InSb紅外相機(jī)完成成像, 能準(zhǔn)確有效地定位這些領(lǐng)域。

鎖相熱成像是一種動態(tài)紅外熱成像，可提供更好的信號噪聲比以及更高的靈敏度。鎖熱成像分析法可以用來定位線路短路，靜電放電缺陷，氧化損傷，缺陷的晶體管和二極管，以及器件latch-up。

圖1a，增強(qiáng)型鎖相熱發(fā)射顯微鏡示意圖

圖1b，增強(qiáng)型鎖相熱發(fā)射顯微鏡工作原理示意圖

♦ ELITE的應(yīng)用

ELITE的應(yīng)用范圍廣泛，且具有無損分析和缺陷深度分析等功能，在半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)的失效分析中都扮演著重要角色。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛：賽默飛的ELITE可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體各個領(lǐng)域，通過增強(qiáng)型鎖相熱成像技術(shù)準(zhǔn)確定位到各種不同的缺陷位置，如：
•  晶圓缺陷
•  封裝缺陷
•  PCB電路板缺陷

圖2 ELITE缺陷定位圖

a: ELITE定位芯片缺陷 b:ELITE定位封裝缺陷 c:ELITE定位PCB電路板缺陷
 

非破壞性失效位置定位：紅外光具有穿透能力，可以穿透封裝體被ELITE的InSb紅外相機(jī)收集，在不破壞樣品的前提下完成缺陷位置定位，這是傳統(tǒng)光發(fā)射顯微鏡不具備的能力。輔以X-Ray和SAM等無損分析機(jī)臺檢測缺陷。

圖3a, ELITE無損失效定位示意圖
                     

圖3a, ELITE無損失效定位示意圖                                        圖3c, X-ray在熱點(diǎn)位置發(fā)現(xiàn)缺陷

缺陷深度分析：ELITE經(jīng)由解析相角可以作熱點(diǎn)來源深淺的判斷，實(shí)現(xiàn)缺陷深度分析的功能，這種分析手段是其他光學(xué)定位系統(tǒng)所不具備的。

深度分析的基本理念是通過建立3D模型來分析缺陷深度，圖4為深度分析的建模和分析流程。

圖4， ELITE深度分析建模和分析簡介

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當(dāng)然除了ELITE系列，賽默飛也提供面向集成電路物性和電性缺陷分析的整套解決方案。不論是從設(shè)計(jì)驗(yàn)證，物性和電性分析還是良率提升，工藝控制，來料質(zhì)量控制等各個環(huán)節(jié)方面，賽默飛都有一套綜合、有效的解決方案應(yīng)對不同客戶的需求。賽默飛誠摯邀請您齊聚IPFA 2018（新加坡），在2018年7月16日至19日的新加坡濱海灣金沙酒店（MARINA BAY Sands SINGAPORE）分享解決方案，探討未來技術(shù)發(fā)展，探索更高領(lǐng)域的工藝。