日立熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SU70型采用高分辨率半內(nèi)透鏡技術(shù)和熱場(chǎng)發(fā)射電子槍，為探索納米世界打開了一扇新的大門。為了滿足在同一臺(tái)儀器上進(jìn)行綜合>析(需要大探針電流)和高分辨率觀察的需求，日立開發(fā)了SU-70。

一、日立熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SU70型的特點(diǎn)
1.100nA的大探針電流
    開發(fā)的肖特基電子槍保證100nA的大探針電流
2. 通用的分析型樣品室
    預(yù)留了多種接口，可以安裝以下附件進(jìn)行
    分析：EDX,WDX,EBSP,STEM,BSE, CL,低溫臺(tái)，樣品室CCD
3. 分析模式(FF模式)
    觀察磁性樣品及EBSP、WDS分析
4. 高分辨率 1.0nm/15kV，1.6nm/1kV(減速模s)，高分辨率的獲得利用了日立 已被檢驗(yàn)的半內(nèi)透鏡技術(shù)。
5. ExB技術(shù)用于控制SE/BSE信號(hào)檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)消除放電現(xiàn)象及信號(hào)混合
6. 電子束減速技術(shù)保證了超低電壓的高分辨成像，用于淺表面觀察

二、日立熱場(chǎng)發(fā)射掃描s鏡SU70型的技術(shù)規(guī)格
1. 二次電子圖象分辨率
1.0nm(15KV.WD=4.0mm)
6nm(1KV.WD=1.5mm,減速模式)
2.5nm(1KV.WD=1.5mm)
2. 放大倍數(shù)
低放大倍數(shù)模式20-2,000x
高放大倍數(shù)模式100-800,000x
3. 電子光學(xué)
電子槍      ZrO/W 肖特基電子槍
電流         1pA-100nA
加速電壓  0.5-30KV(標(biāo)準(zhǔn)模式)
著陸電壓  0.1-2.0KV(減速模式)
透鏡系統(tǒng)  3級(jí)電磁線圈系統(tǒng)
物鏡光闌  4孔光闌,真空外選擇和細(xì)調(diào)
4. 樣品臺(tái)
樣品臺(tái)控制  5軸馬達(dá)控制
移動(dòng)范圍
X     0-110mm
Y     0-110mm
z     1.5-40mm
T     -5O-+700
R     360O 
樣品尺寸  直徑150mm(標(biāo)準(zhǔn))；直徑200mm(可選)
5. 探測(cè)器
二次電子探測(cè)器
背散射電子探測(cè)器(可選)
STEM探測(cè)器(可選)
法拉第杯(可選)
X射線能譜儀(可選)
X射線波譜儀(可選)
EBSP探測(cè)器(可選)